Исследователи из Фуданьского университета в Китае создали прототип флеш-памяти нового поколения, которая может записывать данные со скоростью 1 бит в 400 пикосекунд. Об этом сообщает агентство Xinhua.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», – указал глава проекта Чжоу Пэн.
Новый прототип назвали PoX. Он сделан на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. Как отметили исследователи, устройство смогло превзойти самые быстрые типы оперативной памяти, в числе которых DRAM и SRAM. PoX способен сохранять данные без питания и сочетать энергоэффективность флеш-памяти с быстрой скоростью.
Агентство Xinhua добавило, что такая технология может оказаться основой будущих решений.
Ранее корпорация Microsoft представила первый в мире квантовый чип на новом типе материала. Им являются топопроводники. Благодаря чипу Majorana 1 можно создавать квантовые компьютеры, которые могут решать «задачи промышленного масштаба за годы, а не за десятилетия».
Источник: www.m24.ru
